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La compañía surcoreana ha anunciado en el transcurso de la International Solid-State Circuits Conference 2012 el desarrollo de nuevos chips LPDDR3. Se espera que estos nuevos componentes de bajo consumo (de ahí el prefijo acrónimo Low Power) se conviertan en la próxima generación de memorias a incorporar en gran parte de los smartphones que se fabriquen a partir de la segunda mitad del presente año, sustituyendo así a los actuales chips LPDDR2.

Los nuevos módulos de memoria LPDDR3 son el doble de rápidos que los actuales, pasando de los 3.2 GB/s de los LPDDR2 a los 6.4 GB/s en un bus de 32 bits, necesitando tan sólo 1.2 V de tensión eléctrica para desempeñar sus funciones. O lo que es lo mismo, el doble de velocidad con el mismo consumo energético de las memorias actuales.

La nueva especificación desarrollada por Samsung es compatible con dispositivos dotados con LPDDR2 pudiendo, llegado el caso, alterar el resultado final de algún modelo que cualquier fabricante tenga en sus últimas fases de desarrollo. Por el momento, la compañía surcoreana ha mostrado al público congregado en la ISSCC 2012 un módulo de 4 GB de capacidad, aunque no seria de extrañar que los de Seúl estuvieran ya trabajando en chips de mayor capacidad.

Según representantes de la propia marca, con esto tratan de ofrecer cobertura a la creciente demanda de memorias de mayor velocidad que cubran las necesidades generadas por videojuegos 3D y vídeo de alta definición, en consonancia con el incremento en el rendimiento de los procesadores con la incorporación al mercado de los primeros modelos dotados de cuatro núcleos.

Vía | TechON.

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